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技术文章 > 砷化镓

  • 什么是氮化镓充电器,氮化镓充电器的组成、特点、原理、分类、操作规程及发展趋势

    氮化镓充电器是一种基于氮化镓材料的功率电子器件,用于将电能转换为电流和电压符合充电设备要求的信号,从而实现对电池或其他设备的充电功能。氮化镓充电器具有高效率、高频率、高功率密度、高可靠性和高温工作能力等特点,被广泛应用于电动车、电动工具、无线通信设备等领域。氮化镓充电器的组成主要包括功率电子器件、控制电路和LM2596S-12散热系统。其中,功率电子器件是充电器的核心部件,通常采用氮化镓功率晶体管(GaN HEMT)或氮化镓功率集成电路...

    日期:2023-11-24阅读:1713
  • 束引线PIN二极管 技术数据 HMC773型 砷化镓单片集成电路基础 混频器,6-26千兆赫

    特征高击穿电压典型120 V低电容0.017 pF典型值低电阻4.7Ω典型值坚固的结构最小铅拉力4克氮化钝化说明HPND-4005平面梁引线PIN二极管的结构提供卓越的领先优势实现卓越的电气性能高频性能。高光束强度为用户提供优越的装配效率,同时极低的电容允许实现高度隔离。氮化钝化与聚酰亚胺涂层提供可靠的装置保护。应用HPND-4005梁导销二极管设计用于带状线或微带电路。应用包括交换,衰减,相移,限制和调节微波频率。这个HPND-400...

    日期:2020-3-16阅读:1741
  • HMC264LM3型 砷化镓MMIC次谐波 SMT混频器,20-30 GHz

    典型应用HMC264LM3非常适合:20和30 GHz微波收音机上下转换器点对点无线电LMDS和卫星通信特征功能图HMC264LM3是一个20-30千兆赫的表面安装次谐波抽运(x2)MMIC混频器SMT无铅芯片中集成的LO放大器承运人包裹。2LO到RF的隔离是出色的25至35分贝,无需额外过滤。低放大器是一个偏压(+3V到+4V)两级设计,只有-4个dBm驱动器要求。所有数据均采用非密封环氧密封LM3封装设备安装在50欧姆测试结构中。利...

    日期:2020-3-5阅读:1382
  • CNY17是一对光耦合对 砷化镓红外发光二极管光学 耦合到硅NPN光电晶体管

    描述CNY17是一对光耦合对砷化镓红外发光二极管光学耦合到硅NPN光电晶体管。可以发送包括DC电平的信号信息由设备保持高度输入和输出之间的电隔离。CNY17可用于替换继电器和变压器在许多数字接口应用中也是如此作为模拟应用,如CRT调制。特征隔离测试电压5300 VRMS长期稳定性行业标准双列直插式封装无铅元件元件符合RoHS 2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC机构批准Underwriters Lab File#...

    日期:2019-5-4阅读:1374
  • 飞思卡尔的氮化镓射频功率解决方案

    RF功率技术的手机市场的领先供应商,飞思卡尔半导体公司,今天公布其首个射频功率放大器等产品使用的氮化镓(GaN)技术构建的。该公司的射频功率GaN产品将首先针对蜂窝基础设施市场,与未来潜在的应用包括航空电子设备,雷达,ISM和软件定义无线电。“飞思卡尔的氮化镓射频功率解决方案强调我们的技术无关的方法,”飞思卡尔的第一氮化镓产品,AFG25HW355S的设备,是业界最全面的功率放大器解决方案组合的最新射频功率市场。目前飞思卡尔的RF功...

    日期:2012-8-27阅读:1102
  • 氮化镓(GaN)的优势与技术特点

    行业俯瞰整个微波行业,包括防务、安全、工业和通信等领域,都在不断变化发展中。从高功率这一角度出发,推动防务发展的动力一方面是基于宽带隙器件的固态雷达系统的发展;另一方面是出于建造多频段带宽的高效、紧凑电子对抗系统的持续要求;此外还有满足发展“定向能对抗”(即利用定向性较好的高能波束,如激光、微波、粒子束等对敌方目标,尤其是电子目标进行定向干扰或摧毁)这一既定目标需要的射频技术。从射频和微波功率器件市场这角度来看,在通信行业,3G应用和W...

    日期:2012-8-23阅读:1890
  • HSJ型砷化镓霍尔元件特性参数

    HSJ型砷化镓霍尔元件具有灵敏度高、使用温度范围宽、输出电压大、温漂小、线性度好、稳定性好、体积小、抗干扰和抗辐射能力强等特点。它广泛用于精密测量、自动化控制、通信、航空航天等领域。HSJ型砷化镓霍尔元件的特性参数见表。 表:HSJ型砷化镓霍尔元件特性参数

    日期:2008-5-7阅读:1345
  • 发展氮化镓集成电路的考虑

    袁明文(中电科集团第十三研究所,河北 石家庄050051)1引言gan是一种热学和化学性能都很稳定的化合物半导体材料,特别适于制造高温器件。其代表性器件algan/gan hemt具有优良的特性,包括宽禁带(34 ev)、高击穿(>50 v)、高饱和速度(>1×107 cm/s)和高表面浓度(ns>1×1013 cm-2)等,使其成为新一代优良的微波功率器件。由于成功地实现了传统的低压、原子层的cvd淀积和algan/ingan的掺杂...

    日期:2007-4-29阅读:1401
  • 管式电炉合成氮化镓晶粒的研究

    黄萍,薛成山,李秀琴,魏琴琴(山东师范大学物理系,半导体所,山东 济南 250014)摘要:以ga2o3为ga源,氨气(nh3)为n源,通过氮化反应合成了高质量的gan晶粒。xrd,ftir和tem对生成产物的组分、结构进行了研究。结果表明,用管式电炉合成的gan为多晶体,属六方晶系。 关键词:氮化镓;ga2o3;氨气中图分类号:tn304.23 文献标识码:a 文章编号:1671-4776(2003)10-0027-031引言氮化镓是...

    日期:2007-4-29阅读:1579
  • 高频率、高效率氮化镓功率器件

    许多新兴应用对具备更高转换效率的大功率MOSFET提出了迫切需求。目前,硅功率器件主要通过封装和改善结构来优化性能提升效率,不过随着工艺技术的发展这个改善的空间已经不大了,因此对新型半导体材料的研发一直是硅功率器件半导体厂商追求突破的重要环节。为此,国际整流器公司(IR)推出了首个商用氮化镓(GaN)功率器件产品系列,预示着一个高频率、高密度、高效电源转换解决方案的全新时代。全新的iP2010和iP2011系列器件是为多相和负载点(PO...

    日期:2010-5-5阅读:1174
  • NEC电子推出业界小型薄型砷化镓(GaAs)开关IC

    NEC电子日前完成了用于进行高速无线通信的便携式设备、笔记本电脑、终端设备(terminal)的小型薄型高频砷化镓(GaAs)开关IC--“μPG2176T5N”的开发,并将于即日起开始发售该产品的样品。 新产品是建立无线通信规格—移动WiMAX系统时必不可缺的切换开关芯片,它主要负责收发数据切换及天线切换。该产品被封装在长1.5mm、宽1.5mm、高0.37mm的业界最小的超小型?薄型封装内,其封装面积约为与NEC电子现有产品的25...

    日期:2007-11-19阅读:715
  • NEC电子推出业界最小的小型薄型砷化镓(GaAs)开关IC

    NEC电子日前完成了用于进行高速无线通信的便携式设备、笔记本电脑、终端设备(terminal)的小型薄型高频砷化镓(GaAs)开关IC--“μPG2176T5N”的开发,并将于即日起开始发售该产品的样品。 新产品是建立无线通信规格—移动WiMAX系统时必不可缺的切换开关芯片,它主要负责收发数据切换及天线切换。该产品被封装在长1.5mm、宽1.5mm、高0.37mm的业界最小的超小型?薄型封装内,其封装面积约为与NEC电子现有产品的2...

    日期:2007-11-26阅读:679
  • NEC推出小型薄型高频砷化镓开关IC

    NEC电子完成了用于进行高速无线通信的便携式设备、笔记本电脑、终端设备(terminal)的小型薄型高频砷化镓(GaAs)开关IC——“μPG2176T5N”的开发,并将于即日起开始发售该产品的样品。 新产品是建立无线通信规格—移动WiMAX系统时必不可缺的切换开关芯片,它主要负责收发数据切换及天线切换。该产品被封装在长1.5mm、宽1.5mm、高0.37mm的业界最小的超小型薄型封装内,其封装面积约为与NEC电子现有产品的25%,厚度...

    日期:2007-12-7阅读:670
  • SDK推出采用氮化镓基材料制作新型LED芯片

    Showa Denko K.K.(SDK)推出的新型LED芯片采用的是氮化镓基材料制作的,发出的光接近紫外光,主要用于普通 白光照明和大型液晶显示的背光照明等。 该系列氮化镓基LED可以配合磷材料发出白光。SDK表示,蓝光LED和黄磷相结合可以发出白光,用于手机的大屏幕显示的背光照明。但是,现存的白光照明的发光量不足,不能够用于普通照明,同时它们的显色指数也比较低。 当该系列紫外光LED结合磷发光的时候,可以产生三种主要颜色的光,包...

    日期:2008-9-6阅读:589
  • SDK推出采用氮化镓的近紫外线和绿色LED芯片

    Showa Denko K.K. (SDK)推出采用氮化镓的近紫外线和绿色LED芯片,可分别用于LCD屏幕的白色照明光和大型背光。这种基于GaN的近紫外线LED使用了磷,可实现白色照明。目前蓝色LED和黄磷可用于手机中的LCD白色背光。但现有白色照明由于红/绿成分少,不足以用于通用照明场合。 这款新近开发的近紫外线LED具有三种主要色的混合磷(红、绿和蓝),它的色彩渲染度高,...

    日期:2007-7-29阅读:1067
  • 半导体硅材料将被砷化镓和碳纳米管取代

                  硅半导体材料是现代微电子装置中的主力,但现在这头“驾辕马”有可能被电子迁移率更高的半导体砷化镓和碳纳米管取代。半导体的性能取决于其中电子的迁移率,因为微型芯片的运算速度取决于其中的电子对加在芯片上的电场的反应速度。美国马里兰大学的米歇尔·富赫在测量碳纳米管中的电子迁移率时...

    日期:2007-7-29阅读:1265

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