偏置
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LM358DT具有高增益、低失调电流和低输入偏置电流的特点
LM358DT是一种双运算放大器，具有高增益、低失调电流和低输入偏置电流的特点。它适用于各种模拟电路应用，例如滤波器、放大器、比较器等。本文将从以下几个方面介绍LM358DT的特性、应用和参数。一、特性双运算放大器：LM358DT包含两个独立的运算放大器，可用于多路信号处理。高增益：LM358DT具有高增益，最大增益可达100dB。低失调电流：LM358DT的失调电流非常低，仅为20nA。低输入偏置电流：LM358DT的输入偏置电流也很...
日期：2023-4-12类别：阅读：14778 -
OPA129是超低偏置电流Difet®运算放大器
特征●超低偏置电流：最大100fA●低偏移：最大2mV●低漂移：最大10μV/°C●高开环增益：最小94dB●低噪声：10kHz时15nV/√Hz●塑料浸渍等包装应用●光电探测器前置放大器●色谱法●静电计放大器●质谱仪●pH探针放大器●离子计测量说明OPA129是一款超低偏置电流单片运算放大器，采用8引脚PDIP和SO-8封装。使用先进的几何介质绝缘场效应晶体管（Difet®）输入，这种单片放大器实现了高性能水平。Difet的...
日期：2020-10-30标签：电流放大器运算放大器偏置 类别：阅读：35697 -
OP1177/OP2177/OP4177是精密低噪声，低输入偏置电流运算放大器
特征低失调电压：最大60μV极低偏移电压漂移：最大0.7μV/°C低输入偏置电流：最大2 nA低噪声：典型8 nV/√Hz最小CMRR、PSRR和AVO>120 dB低电源电流：每个放大器400μA双电源操作：±2.5 V至±15 V单位增益稳定无相位反转超出电源电压的内部保护输入应用无线基站控制电路光网络控制电路仪器仪表传感器和控制装置热电偶式温度计电阻式热探测器（RTD）应变桥分流电流测量精密过滤器一般说明OPx177系列包括...
日期：2020-8-24标签：电流放大器运算放大器偏置低噪声 类别：阅读：12533 -
CS51411, CS51412,CS51413, CS51414是1.5 A、260 kHz和520 kHz，具有外部偏置或同步能力的低压降压稳压器
特征•V2架构提供超快的瞬态响应、改进的调节和简化的设计•2.0%误差安培参考电压公差•短路条件下开关频率降低4:1，减少短路功耗•BOOST Lead允许“自举”操作，以最大限度地提高效率•同步功能，用于并联供电操作或噪声最小化•停机导线提供断电选项•断电时85 μA静态电流•热关机•软启动•插脚-与LT1375和L...
日期：2020-5-29标签：稳压压器压降稳压器降压偏置 类别：阅读：1914 -
FMS6502型 带输出驱动器的8输入6输出视频开关矩阵， 输入钳位和偏置电路
特征8 x 6交叉点开关矩阵支持SD、PS和HD 1080i/1080p视频输入钳位和偏置电路双端接75Ω电缆驱动器可编程0dB或6dB增益交流或直流耦合输入交流或直流耦合输出一对一或一对多输入输出切换兼容I2CTM的数字接口，标准模式3.3V或5V单电源操作无铅TSSOP-24包装应用电缆和卫星机顶盒电视和高清电视A/V开关个人录像机（PVR）安全和监视视频分发汽车（舱内娱乐）说明FMS6502提供八个输入，可路由至六种输出中的任何一...
日期：2019-11-19标签：电路驱动器偏置钳位 类别：阅读：1989 -
FET偏置控制器ZNBG4000 ZNBG4001
设备说明ZNBG系列设备旨在实现满足GaAs和GaAs的偏置要求HEMT FET常用于卫星接收器LNB，PMR，蜂窝电话等使用最少的外部组件。增加两个电容器和电阻器件提供漏极电压和一些外部的电流控制接地源FET，产生FET栅极需要调节负轨偏向于单一操作供应。这种负偏压，-3伏，可以也用于供应其他外部电路。ZNBG4000 / 1和ZNBG6000 / 1包含分别为四个和六个偏置阶段。在设置漏极电流ZNBG4000 / 1两个电阻器允许单...
日期：2019-4-9标签：控制器偏置 类别：阅读：1632 -
单电源应用中的偏置和去耦运算放大器
单电源还是双电源？ 汽车和水上设备等应用中的电池供电型运算放大器仅有一个电源可用。计算机等其他应用虽然可用交流电源供电，但仍然只有一个单极性电源，如5V或12V直流电源。因而在实际操作中，往往需要通过单极性电源来驱动运算放大器。但单电源模式确实存在一些不足：各级均需采用额外的无源元件，而且如果执行不当，还可能造成严重的不稳定问题。 电阻偏置的常见问题 单电源应用的内在问题通常不存在于双电源运算放大器电路之中。基本问题在于，运算放大器是...
日期：2013-6-6标签：电源放大器运算放大器偏置去耦 类别：阅读：2592 -
如何测量RF功率放大器和手机的直流偏置电流
如何测量RF功率放大器和手机的直流偏置电流在移动电话市场上，手机电池寿命是一项任何客户都容易评估的技术指标。不足的电池寿命会招致用户的不满。因此，在设计手机及其关键部件时，通过降低功耗来延长电池寿命是重要的设计考虑。但目前趋势却是沿着相反的方向：移动电话的功能在不断增加。目前已包括互联网接入，音频、视频，以及具有话音和数据的多模能力，这些功能都增加了电池消耗，缩短了运行时间。为满足市场要求，移动电话设计师开发了支持众多能力和多标准的手机...
日期：2012-10-17标签：电流功率直流放大器功率放大偏置功率放大器 类别：阅读：770 -
Maxim推出业界首款功能完备的LCD偏置和白色LED电源
Maxim推出业界首款功能完备的LCD偏置和白色LED电源 2004年9月9日。Maxim INTEGRATED PRODUCTS (NASDAQ: MXIM)推出业界首款功能完备的LCD偏置和白色LED电源-MAX1578/MAX1579，该器件外部只需一只电感，无需电荷泵二极管。四路稳压输出完全满足便携式设备中小型有源矩阵、薄膜晶体管(TFT) LCD的需求，具有最少的外围元件和较高的转换效率。器件内部集成了三个先进的电荷泵，为LC...
日期：2012-9-20标签：电源偏置 类别：阅读：1112 -
面向多轨预偏置负载应用的灵活排序
大多数大型嵌入式系统都由48V输入供电，该48V输入通过背板发送到系统内每个PC板，这种供电方式常常称为分布式电源系统。该48V输入通过一个隔离式中间总线转换器(IBC)降至一个较低的电压，通常在5V至12V范围。然后，这种中间总线输出电压需要再次降低，以用于分支电路和电路板上的IC，这些分支电路和IC需要数十毫安至数十安电流和0.8V及更高的电压。这些完成再次降压的器件称为负载点(POL)稳压器。 分布式电源系统中一般包括微处理器和...
日期：2011-3-10标签：负载偏置 类别：阅读：559 -
磁芯的直流偏置与交流磁通密度
在直流偏置电流作用下，由于饱和作用，MPP磁芯的磁导率呈现减小趋势。图1显示了这种趋势，对高磁导率这种变化更加明显。为了利用该曲线进行设计，设计中的磁动势（磁化力）用式（9．2）进行计算。若磁导率的减小使电感量的下降不超过30％，则可以用增加线圈匝数的方法补偿偏置造成的影响。若磁导率的降低超过了30％，增加匝数会造成磁导率的进一步下降，且比N2快。因此要用更大的磁芯才能解决问题。 图1 磁导率和直流偏置的关系 磁芯磁导率也随交流...
日期：2008-11-8标签：直流磁芯偏置 类别：阅读：1555 -
场效应管的偏置电路
为保证场效应管能起到正常的放大作用，和半导体三极管一样，也要预先给它设置合适的静态工作点。为了减少电源的种类，栅极的偏差一般都采用自给偏压的方法来供给。 典型的自给偏压电路 典型的自给偏差电路如图所示。它的工作原理是:当有电流Is流过Rs时，在Rs上会产生压降Us，而由于栅极不取电流，所以 UGS=UG-US=-ISRS=-IDRS可见，UGS是靠场效应管自身的电流ID产生的，所以称这种电路为自给偏压电路。为了减少RS对放大倍数的影响，...
日期：2008-4-23标签：电路场效应场效应管偏置 类别：阅读：957 -
利用DS1841对数电阻优化雪崩光电二极管（APD）的偏置范围
摘要：本文阐述了如何使用DS1841对数电位器调节APD偏置电路的输出范围。为了使调节过程更简单，本文还提供了电子数据表。 APD偏置电路 DS1841可受温度控制的非易失(NV)、I2C对数电位器包含了一个7位对数变化的电阻器。通过与升压型DC-DC转换器相配合，DS1841能够调节施加在雪崩光电二极管的偏置电压。利用三个外部电阻(RSER、RTOP和RPAR)调节输出范围(图1)。 图1.利用DS1841和升压型DC-DC转换器...
日期：2009-6-15标签：电阻二极管数电偏置光电二极管 类别：阅读：1480 -
雪崩光电二极管（APD）偏置电源及其电流监测
摘要：本文提供的参考设计用于实现APD偏置电源及其电流监测。基于MAX15031 DC-DC转换器，该电路能够将2.7V至11V范围的输入电压经过DC-DC电源转换器后得到一个70V、4mA电源。 下面列出了参考设计的主要规格、详细的原理图(图1)以及材料清单(表1)。 设计规格与配置 2.7V至11V较宽的输入电压范围 70V输出电压 4mA输出电流 400kHz固定开关频率 -40°C至+125°C工作温度范围 微型、8mm x 1...
日期：2009-7-31标签：电源电流二极管偏置光电二极管 类别：阅读：1587 -
电源设计小贴士14：SEPIC转换器提供高效偏置电源
您想过使用一个单端初级电感转换器 (SEPIC) 拓扑结构来构建偏压电源吗？如果您不需要隔离，那么这种想法还是行的通的。SEPIC 拥有诸多特性，从而使其比非隔离式反向结构更具吸引力。控制 MOSFET 和输出整流器振铃可减少电磁干扰 (EMI) 和电压应力。在许多情况下，这使您能够使用更低电压的部件，从而降低成本并提高效率。另外，多输出 SEPIC 可改善输出之间的交叉稳压，从而消除对于线性稳压器的需求。 图 1 显示的是一个 SEP...
日期：2010-8-13标签：IC电源电源设计偏置 类别：阅读：559 -
电源设计小贴士30：低压降压IC让简捷、经济的偏置电源成为现实
在本《电源设计小贴士》中，我们将研究一款可将高 AC 输入电压转换为可用于电子能量计等应用的低 DC 电压简单电路。在这种特殊的应用中，无需将输出电压隔离于输入电压。此处，经过整流的 AC 输入电压可高达 375 VDC，同时数百毫安电流时的输出电压可在 5 伏以内。这些大容量应用通常受到成本的推动，因此要求低部件数量/低成本的电路。步降稳压器提供了一种低成本的解决方案，但在使用高电压输入实施时却充满挑战。在连续模式下，该降压稳压器的...
日期：2011-1-25标签：IC电源压降降压电源设计偏置 类别：阅读：1334 -
实现PSRR测试的无直流偏置端口分析仪
放大器的电源纹波抑制比（PSRR）是分析运算放大器性能时的最通用特征参数之一。例如，放大器电源引脚的噪声源包括寄生电源线路轨迹，及其与放大器吸收的电流相互作用，以及开关电路使用相同电源所产生的噪声。两种噪声源都会在放大器的输入脚上产生电压振幅差异，表现为噪声信号。 在频率上实现特征电源纹波抑制比(PSRR)通常要使用带有直流偏置端口的分析仪，如Agilent的8753设备。例如，要测量负电源纹波抑制比，放大器的-VS脚通过端口1与通过...
日期：2007-11-10标签：直流偏置 类别：阅读：741 -
MOS晶体管的衬底偏置效应
在前面的讨论中，都没有考虑衬底电位对晶体管性能的影响，都是假设衬底和晶体管的源极相连，即VBS (Bulk-Source)=0的情况，而实际工作中，经常出现衬底和源极不相连的情况，此时，VBS不等于0。 在晶体管的衬底与器件的源区形成反向偏置时，将对器件产生什么影响呢? 由基本的pn结理论可知，处于反偏的pn结的耗尽层将展宽。上图说明了NMOS管在VDS较小时的衬底耗尽...
日期：2007-4-29标签：晶体管偏置 类别：阅读：1696 -
安森美系列音频晶体管可快速精确调整偏置..
安森美半导体(ON Semiconductor)日前推出ThermalTrak输出晶体管新系列，具有内部偏置控制的独特功能，该器件为用于高端和具成本优势的消费电子音频应用及大功率专业声音系统而设计，提高整体音质，简化设计。 安森美半导体的音频输出晶体管采用ThermalTrak专利技术，消除累积预热时间，能快速精确地调整偏置。实时温度检测让设计人员更精确地监控工作温度，提高音质和偏置稳定性。该器件系列无需输出驱动补偿电路和昂贵的人...
日期：2007-11-23标签：晶体管偏置安森美 类别：阅读：1014 -
一种BiCMOS工艺的AB类自适应偏置输出级
(1．重庆邮电学院重庆400065；2．信息产业部电子二十四所重庆400060) 摘要：介绍了一种采用bicmos工艺技术制造的具有较大的驱动能力、转换速率和较低的功耗的ab类输出级。他是利用跨导线性原理实现自适应偏置的ab类输出级。通过对这种结构的工作原理，结构特点的分析，仿真得出电阻负载为2 kω，电容负载为100 pf时的最大上升、下降转换速率分别为40 v/μs和30 v/μs；在±15 v的电源下，静态功耗小于10 mw。 ...
日期：2007-4-29标签：偏置 类别：阅读：724