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技术文章 > 霍尔效应

  • 什么是3D霍尔效应传感器,为何推出3D霍尔效应传感器的厂家不多?

    3D霍尔效应传感器是一种利用霍尔效应(Hall effect)来测量磁场在三个空间维度上分布的高精度传感器。霍尔效应是指当电流通过一个置于磁场中的导体时,导体侧面会产生电压差,这个电压差与磁场强度成正比。传统的AD7865ASZ-1霍尔效应传感器通常只能测量磁场在一个方向上的分布,而3D霍尔效应传感器则能够同时测量磁场在三个垂直方向上的分布情况,提供更全面的磁场信息。3D霍尔效应传感器的工作原理3D霍尔效应传感器的核心是一种特殊设计的半...

    日期:2024-3-22阅读:804
  • 什么是霍尔效应继电器,霍尔效应继电器的结构、参数、原理、应用、触点形式、安装及故障分析

    霍尔效应继电器是一种基于霍尔效应的磁电转换器,也称为AP2127K-ADJTRG1霍尔传感器。霍尔效应是一种电磁现象,当电流通过一个磁场中的导体或半导体时,会在垂直于电流和磁场的面上产生一个电压。这种电压被称为霍尔电压,其大小与电流和磁场的强度以及材料的性质有关。霍尔效应继电器通过测量这种电压,可以感知并控制电流的变化。下面我将为您详细介绍霍尔效应继电器。一、结构:霍尔效应继电器主要由霍尔元件、电源电路、放大电路、输出电路和外壳等部分组...

    日期:2024-2-29阅读:1265
  • 什么是三轴霍尔效应传感器,三轴霍尔效应传感器的基本结构、特点、工作原理、应用、分类、操作规程及发展历程

    三轴霍尔效应传感器是一种基于霍尔效应原理的XC95144XL-10TQ100C传感器,用于测量物体在三个方向上的磁场强度。它可以通过检测三个方向上的磁场来确定物体的方向和位置。三轴霍尔效应传感器广泛应用于导航、定位、运动控制等领域。一、基本结构:三轴霍尔效应传感器的基本结构由三个单轴霍尔效应传感和制电路组成。每个单轴霍尔效应传感器由霍尔元件、磁敏感元件、放大电路和输出接口组成。三个单轴霍尔效应传感器按照X、Y、Z三个轴向排列,通过控制电...

    日期:2023-10-8阅读:1323
  • 什么是霍尔变送器,霍尔变送器的基本结构、技术参数、工作原理、应用、操作规程、常见故障及发展历程

    霍尔变送器是一种用于测量电流、电压、温度等物理量的NTR4502PT1G传感器,它利用霍尔效应原理实现信号的转换和传输。霍尔效应是指当电流通过一块导体时,垂直于电流方向的磁场将在导体两侧产生电势差,这种现象被称为霍尔效应。霍尔变送器利用半导体材料中的霍尔元件,能够将电流或电压信号转换为与之对应的电压信号输出。一、基本结构:霍尔变送器由霍尔元件、放大电路、输出电路以及供电电路组成。霍尔元件负责将输入的物理量转换成电信号,放大电路负责放大信...

    日期:2023-9-6阅读:1123
  • 什么是霍尔电流传感器,霍尔电流传感器的简介、组成结构、基本原理、产品特点、应用方式、工作电源及测量方法

    霍尔电流传感器是一种用于测量电流的AD9510BCPZ传感器,它利用霍尔效应原理将电流转换为电压信号。以下是对霍尔电流传感器的简介、组成结构、基本原理、产品特点、应用方式、工作电源和测量方法的详细说明。一、简介:霍尔电流传感器是一种非接触式电流传感器,能够实时、准确地测量电流。它广泛应用于电力系统、工业自动化、新能源发电等领域。二、组成结构:霍尔电流传感器由霍尔元件、电源、输出电路等部分组成。其中,霍尔元件是核心部件,通常由半导体材料制...

    日期:2023-8-2阅读:1620
  • 什么是霍尔传感器,霍尔传感器常见故障和预防措施

    一、霍尔传感器的概念与工作原理霍尔传感器L6561D013TR是一种能够测量磁场强度的传感器,其工作原理基于霍尔效应霍尔效应是指在导体中通过电流时,当该导体受到外磁场作用时,导体内部的电荷载流子受到洛伦兹力的影响,从而使电荷载流子在导体内部产生偏移,导致电子在导体的侧面上集中分布,进而产生横向电压差,即霍尔电压。因此,通过测量霍尔电压的变化,就可以得到磁场的变化。二、常见的霍尔传感器故障及解决方法1、灵敏度降低霍尔传感器的灵敏度可能会...

    日期:2023-6-7阅读:1325
  • 什么是场效应管,场效应管的特点、原理、分类、操作规程及发展趋势

    场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,是晶体管的一种,其操作原理是利用电场控制电流。它不像普通的晶体管那样需要一个电流来控制另一个电流,而是通过改变栅极电场的大小和方向来控制漏极电流,因此具有很高的输入阻抗和低噪声的特点。场效应管的主要特点:1、输入阻抗高:因为场效应管的控制电极没有电流流过,所以输入电阻非常高,可以达到很大的阻抗值。这使得场效应管很适合作为放大器使用。2、噪声小:由于场...

    日期:2023-6-2阅读:2058
  • 什么是光电传感器,光电传感器的构成特点、类型及充电效应

    光电传感器是一种能够将光信号转换为电信号的传感器,它通过光电效应来实现信号的转换。光电传感器通常由光电二极管、74HC74D光敏电阻、光电管、光电三极管等元器件组成,这些元器件能够将光信号转换为电信号,并对电信号进行放大和处理,从而实现对光信号的检测和测量。光电传感器的构成特点光电传感器的构成特点主要表现在以下几个方面:1、光敏元器件:光电传感器的核心是光敏元器件,它能够将光信号转换为电信号。光敏元器件包括光电二极管、光敏电阻、光电管、...

    日期:2023-5-11阅读:1069
  • 什么是场效应管,场效应管的特点、分类、原理及应用

    场效应管(Field Effect Transistor,FET)是一种半导体器件,可以通过控制电场来控制电流。与双极型晶体管相比,场效应管LM358DR2G拥有更高的输入阻抗、更低的噪声和更低的功耗。场效应管的特点、分类、原理及应用如下:1、特点:(1)输入阻抗高:场效应管的输入阻抗很高,可以作为电压放大器使用。(2)噪声低:场效应管的噪声低于双极型晶体管,可以用于接收机等对噪声敏感的应用。(3)功耗低:场效应管的功耗低于双极型晶体管...

    日期:2023-4-27阅读:1228
  • OPA656是宽带、单位增益稳定、场效应晶体管输入运算放大器

    特征●500MHz单位增益带宽●低输入偏置电流:2pA●低偏移和漂移:±0.25mV,±2μV/°C●低失真:在5MHz时为74dB SFDR●高输出电流:70mA●低输入电压噪声:7nV/√Hz应用●宽带光电二极管放大器●采样保持缓冲器●CCD输出缓冲器●ADC输入缓冲器●宽带精密放大器●测量和测试描述OPA656结合了非常宽频带、统一增益稳定、电压反馈运算放大器和FET输入级,为ADC(模数转换器)缓冲和瞬态应用提供了超高动态范围放...

    日期:2020-10-26阅读:2523
  • OPA445是高压场效应晶体管输入运算放大器

    特征•宽电源范围:±10V至±45V•高转换率:15V/μs •低输入偏置电流:10pA•STANDARD-PINOUT TO-99、DIP、SO-8 PowerPAD和SO-8表面安装封装应用•测试设备•高压调节器•功率放大器•数据采集•信号调节•音频•压电驱动器说明OPA445是一个单片...

    日期:2020-10-17阅读:2819
  • L497 霍尔效应传感器点火控制器

    外部直接驱动达林顿电力公司线圈电流充电角(驻留)控制程序油电流峰值限制可编程停留恢复时间当94%额定电流不达到转速输出永久传导保护外部达林顿过电压保护内部电源齐纳蓄电池反向保护说明L497是一个集成的电子点火控制装置,用于使用霍尔效应的无断路器点火系统传感器。该设备驱动NPN外部达林顿控制线圈电流提供所需的存储低能耗。L497的一个特殊功能是可编程恢复正确驻留比Td/T的时间当线圈峰值电流达不到名义上的值。英寸这样的话,可能只有一个火花...

    日期:2020-8-15阅读:1967
  • LM2731 0.6/1.6mhz升压变换器,内置22V场效应管 接通SOT-23

    一般说明LM2731开关稳压器为电流模式升压型\固定频率为1.6mhz(“X”)的转换器选项)和600 kHz(“Y”选项)。SOT-23封装的使用,使得内部1.8A开关功率损耗小,使用方便电感器和电容器是业界最高的功率密度。22V内部开关使这些解决方案非常适合升压至20V。这些部件有一个逻辑级关闭引脚,可以用于减少静态电流和延长电池寿命。通过逐周限流提供保护以及热关机。内部补偿简化了设计并减少了部件数量。特征22V DMOS FET开...

    日期:2020-6-3阅读:1896
  • 风扇5336 1.5MHz TinyBoost™调节器,集成33V 场效应晶体管开关

    特征1.5兆赫转动频率低噪音输出电压可调最高1.5A峰值开关电流低关机电流:<1微安循环电流限制反馈引脚的过电压保护固定频率脉冲宽度调制操作软启动能力内部补偿热关机良好的负载调节:0.2%低波纹6导3x3mm MLP应用便携式显示器手机/智能手机LED背光显示偏差PDA、DVD、摄像机背光寻呼机和无绳电话显示器便携式医疗诊断设备远程控制MP3或PMP或DSC播放器串行闪存LED驱动器说明FAN5336是一种高效率、低噪声、固定频率...

    日期:2019-10-18阅读:1525
  • FDMF6700型 驱动加场效应管多芯片模块

    完全优化的系统效率。更高的效率水平与传统的离散方法相比是可以实现的组件。与离散解决方案相比,最多节省50%的PCB空间。操作频率更高。简化系统设计和电路板布局。缩短时间组件选择和优化。特征12V典型输入电压输出电流高达25A500kHz开关频率内部自适应门驱动器集成自举二极管峰值效率>85%欠压闭锁失相停机输出禁用薄型SMD封装符合RoHS 总则 :FDMF6700是一款经过全面优化的集成12V Driver Plus大电流同步...

    日期:2019-10-15阅读:1643
  • FDMF8705型 驱动加场效应管多芯片模块

    好处 :充分优化系统效率。更高的效率水平与传统的离散方法相比是可以实现的组件。与离散解决方案相比,最多节省50%的PCB空间。操作频率更高。简化系统设计和电路板布局。缩短时间组件选择和优化。特征 :12V典型输入电压输出电流高达18A500kHz开关频率内部自适应门驱动器集成自举二极管峰值效率>85%欠压闭锁失相停机输出禁用薄型SMD封装符合RoHS一般说明 :FDMF8705是一款经过全面优化的集成12V Driver Pl...

    日期:2019-10-11阅读:1636
  • FDMF800 驱动器加场效应管多芯片模块

    效益充分优化系统效率。更高的效率水平与传统的离散方法相比是可以实现的组件。与离散解决方案相比,最多节省50%的PCB空间。操作频率更高。简化系统设计和电路板布局。缩短时间组件选择和优化。特征12V典型输入电压输出电流高达30A500kHz开关频率内部自适应门驱动器集成自举二极管峰值效率>90%欠压闭锁失相停机输出禁用薄型SMD封装符合RoHS 一般说明:FDMF8700是一款经过全面优化的集成12V Driver Plus大电流同...

    日期:2019-9-24阅读:1843
  • ZNBG系列设备满足GAAS的偏压要求卫星常用的HEMT场效应管接收器

    设备描述ZNBG系列设备旨在满足GAAS的偏压要求卫星常用的HEMT场效应管接收器LNB、PMR、移动电话等。最少有外部组件。加上两个电容器和提供漏极电压的电阻以及一些外部的电流控制接地源场效应晶体管,产生FET门所需的调节负轨从单个操作时偏压供应。负偏压,在-3伏时,可以也可用于供应其他外部设备电路。ZNBG4000/1和ZNBG6000/1包含分别有四个和六个偏差阶段。在设置漏极电流ZNBG4000/1 2电阻允许单独的场效应晶体管...

    日期:2019-9-2阅读:2044
  • BS170是用电压控制的场效应用管也可当作三极管用

    BS170的参数:晶体管类型:MOSFET控制通道类型:N通道最大功耗(Pd):0.83 W.最大漏源电压| Vds |:60 V.最大栅源电压| Vgs |:20 V.最大栅极阈值电压| Vgs(th)|:3 V.最大漏极电流| Id |:0.5 A.最高结温(Tj):150°C最大漏源导通电阻(Rds):5欧姆BS170数据表(PDF)SEM1ONDUCTOR技术数据由BS170 / D TMOS FET开关N Channel 增强...

    日期:2019-4-18阅读:6698
  • 场效应管FDS9933A

    名称:FDS9933A晶体管类型:MOSFET极性:P最大功耗(Pd):2 W.允许的最大漏源电压(Uds):20 V.最大允许直流消耗(Id):3.8 A.最高通道温度(Tj):150°C总快门电荷(Qg):7 nC开源晶体管(Rds)漏源电阻:0.075欧姆外壳类型:SO81998年11月FDS9933A双P沟道2.5V指定PowerTrench?MOSFET特性概述这些P沟道2.5V规格的MOSFET产生 -3.8 A,-20 V...

    日期:2019-3-5阅读:1054

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