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FET偏置控制器ZNBG4000 ZNBG4001

日期:2019-4-9标签: (来源:互联网)

设备说明ZNBG系列设备旨在实现满足GaAs和GaAs的偏置要求HEMT FET常用于卫星接收器LNB,PMR,蜂窝电话等使用最少的外部组件。增加两个电容器和电阻器件提供漏极电压和一些外部的电流控制接地源FET,产生FET栅极需要调节负轨偏向于单一操作供应。这种负偏压,-3伏,可以也用于供应其他外部电路。ZNBG4000 / 1和ZNBG6000 / 1包含分别为四个和六个偏置阶段。在设置漏极电流ZNBG4000 / 1两个电阻器允许单独的FET对控制到不同的级别,ZNBG6000 / 1两个电阻分开控制在两到四之间场效应管。这允许工作电流输入FET需要调整以最小化噪声,而以下的FET阶段可以单独调整以获得最大增益。该系列还提供排水选择为FET设置的电压,ZNBG4000 / 6000可提供2.2伏的电压ZNBG4001 / 6001给出2伏特。这些设备无条件稳定在整个工作温度下FET就位,但包含在内推荐的栅极和漏极电容。这些确保RF稳定性和最小化注入噪音。可以使用少于设备的全部设备FET偏置控制的补充,未使用排水和闸门连接可以保持打开状态电路不影响操作剩余的偏置电路。为了保护外部FET电路设计用于确保在任何条件下,包括权力上/下瞬变,门驱动器从偏置电路不能超过-3.5V的范围到0.7V。此外,如果负轨遇到故障情况,例如过载或短路,漏极供电FET将关闭以避免过度电流。ZNBG4000 / 1和ZNBG6000 / 1是提供QSOP16和20引脚封装分别为器件尺寸的最小值。器件工作温度为-40至70°C适应各种环境条件。

特征•为GaAs和HEMT FET提供偏置•驱动多达四个或六个FET•动态FET保护•漏电流由外部电阻设定•调节负轨发电机只需要2个外部电容器•可选择漏极电压•供电电压范围宽•QSOP表面贴装封装应用•卫星接收器LNB•私人移动无线电(PMR)•蜂窝电话

绝对最大额定值电源电压-0.6V至15V供电电流100mA漏极电流(每个FET)0至15mA(由R CAL1和R CAL2设定)输出电流100mA工作温度-40至70°C储存温度-50至85°C功耗(T amb = 25°C)QSOP16 500mWQSOP20 650mW电气特性测试条件(除非另有说明):T amb = 25°C,V CC = 5V,I D = 10mA(R CAL1 =33kΩ; R CAL2 =33kΩΩ)


笔记:1.指定的负偏置电压使用内部振荡器在片内产生。 两个外部电容,C NB和C SUB,为此需要47nF。2.使用两个外部参考电阻R CAL1和R CAL2测量特性,值为33kΩ,从R CAL1 / 2引脚连接到地面。 对于ZNBG4000,电阻器R CAL1设置FET 1和2的漏极电流,电阻器R CAL2设置FET 3和4的漏极电流。对于ZNBG6000,电阻器R CAL1设置FET 1和4的漏极电流,电阻器R CAL2设置FET 2,3和5的漏极电流。3.生产中未测量噪声电压。4.噪声电压测量采用FET,栅极和漏极电容均在所有位置进行输出。 C G,4.7nF连接在栅极输出和地之间,C D,10nF连接漏极输出和地之间。

功能图

功能说明ZNBG器件提供外部FET的所有偏置要求,包括发电栅极偏置所需的负电源,来自单电源电压。上图显示了ZNBG系列的单个阶段。 ZNBG4000 / 1包含4个这样的阶段,ZNBG6000 / 1包含6.负轨发生器对所有设备都是通用的。外部FET Q N的漏极电压由ZNBG器件设置为其正常工作电压。这由板载V D设置参考确定,对于ZNBG4000 / 6000,这名义上是2.2伏特,而ZNBG4001 / 6001标称提供2伏特。FET采用的漏极电流由低值电阻器I D Sense监控。放大器驱动FET的栅极调节Q N的栅极电压,使得所采用的漏极电流匹配由外部电阻R CAL调用的电流。两个ZNBG设备都具有编程功能不同的漏极电流进入选定的FET。提供两个R CAL输入。对于ZNBG4000,电阻R CAL1设置FET 1和2的漏极电流,电阻R CAL2设置FET的漏极电流对于ZNBG6000,电阻R CAL1设置FET 1和4的漏极电流,电阻R CAL2设置FET 2,3,5和6的漏极电流。由于FET是耗尽型晶体管,因此通常需要驱动其栅极负极接地以获得所需的漏极电流。提供此功能单个正电源,该器件包括一个低电流负电源发生器。这个发生器使用内部振荡器和两个外部电容,C NB和C SUB

典型应用电路

应用信息以上是ZNBG系列的部分应用电路,显示了所有外部元件适当的偏差所需。偏置电路在整个过程中无条件稳定电路中的相关FET和栅极和漏极电容的温度范围。电容器C D和C G确保残余电源和基板发生器噪声不会允许影响可能对RF干扰敏感的其他外部电路。他们也用于通过ZNBG设备抑制各级之间的任何潜在RF馈通。这些所有使用的级都需要电容器。分别为10nF和4.7nF的值但建议这取决于设计,1nF到100nF之间的任何值都可以使用。电容器C NB和C SUB是ZNBG负电源发生器的组成部分。该使用内部振荡器在芯片上产生负偏置电压。所需的价值电容器C NB和C SUB为47nF。该发电机产生大约的低电流电流-3伏特。虽然这个发生器纯粹是为了偏置外部FET,但它可以用来通过C SUB引脚为其他外部电路供电。电阻R CAL1 / 2设置所有外部FET工作的漏极电流。两种ZNBG设备有能力将不同的漏极电流编程到选定的FET中。两个R CAL输入提供。对于ZNBG4000,电阻R CAL1设置FET 1和2的漏极电流,电阻R CAL2设置FET 3和4的漏极电流。对于ZNBG6000,电阻R CAL1设置漏极电流在FET 1和4中,电阻R CAL2设置FET 2,3,5和6的漏极电流。如果相同的漏极电流在任一器件上的所有FET都需要,然后引脚R CAL1和R CAL2可以连接在一起通过一个半正常值的校准电阻分流到地。如果不需要任何偏置控制电路,则其相关的漏极和栅极连接可以保持断开电路不影响剩余偏置电路的操作。如果所有FET都与之相关联省略了电流设定电阻,仍应包括特定的R CAL。供应如果需要,可以通过使用高值R CAL电阻(例如470k)来减小电流。

ZNBG器件旨在保护外部FET免受不良操作条件。 JFET连接到任何偏置电路,偏置电路的栅极输出电压在任何条件下,包括上电和断电,都不能超过-3.5V至0.7V的范围瞬变。 负偏压发生器应该短路还是过载以使漏极电流无法再控制外部FET的电阻,关闭FET的漏极电源以避免过大的漏极电流会对FET造成损坏。下图显示了典型LNB应用中的ZNBG4000 / 1和ZNBG6000 / 1。在每个FET增益级内,编号系统指示偏置级如何与其相关应用电路。 当RCAL值用于设置不同的漏极电流时,这很重要。双标准或增强型LNB框图

双标准或增强型LNB框图。 高增益

连接图


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